GD25D10CTIGR

制造商:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
制造商零件编号:GD25D10CTIGR
描述:NOR FLASH
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)
详细描述:FLASH-NOR-存储器-IC-1Mb-(128K-x-8)-SPI-双-I-O-100MHz-8-SOP

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详细信息

GD25D10CTIGR产品信息:
制造商:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
制造商零件编号:GD25D10CTIGR
描述:NOR FLASH
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)
详细描述:FLASH-NOR-存储器-IC-1Mb-(128K-x-8)-SPI-双-I-O-100MHz-8-SOP

GD25D10CTIGR一般信息:
数据列表:GD25D05C, GD25D10C Datasheet;Product Selection Guide;
包装:卷带
零件状态:有源
类别:集成电路(IC)
产品族:存储器
其它名称:1970-1002-1

GD25D10CTIGR规格:
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR
存储容量:1Mb (128K x 8)
存储器接口:SPI - 双 I/O
时钟频率:100MHz
写周期时间 - 字,页:50μs,4ms
电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP