GD25Q40CEIGR

制造商:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
制造商零件编号:GD25Q40CEIGR
描述:NOR FLASH
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)
详细描述:FLASH-NOR-存储器-IC-4Mb-(512K-x-8)-SPI-四-I-O-104MHz-8-USON(2x3)

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详细信息

GD25Q40CEIGR产品信息:
制造商:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
制造商零件编号:GD25Q40CEIGR
描述:NOR FLASH
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)
详细描述:FLASH-NOR-存储器-IC-4Mb-(512K-x-8)-SPI-四-I-O-104MHz-8-USON(2x3)

GD25Q40CEIGR一般信息:
数据列表:GD25Q40C Datasheet;Product Selection Guide;
包装:原厂封装
零件状态:有源
类别:集成电路(IC)
产品族:存储器
其它名称:1970-1007-6

GD25Q40CEIGR规格:
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR
存储容量:4Mb (512K x 8)
存储器接口:SPI - 四 I/O
时钟频率:104MHz
写周期时间 - 字,页:50μs,2.4ms
电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:8-USON(2x3)