GD5F2GQ4RF9IGR

GD5F2GQ4RF9IGR产品信息

制造商:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

制造商零件编号:GD5F2GQ4RF9IGR

描述:SPI NAND FLASH

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

详细描述:闪存-NAND-存储器-IC-2Gb-(256M-x-8)-SPI-四-I-O-120MHz-8-LGA(6x8)


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详细信息

GD5F2GQ4RF9IGR产品信息

制造商:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

制造商零件编号:GD5F2GQ4RF9IGR

描述:SPI NAND FLASH

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

详细描述:闪存-NAND-存储器-IC-2Gb-(256M-x-8)-SPI-四-I-O-120MHz-8-LGA(6x8)


GD5F2GQ4RF9IGR一般信息

包装:GD原厂封装

类别:集成电路(IC)

产品族:存储器

GD5F2GQ4RF9IGR规格

存器类型:非易失

存储器格式:闪存

技术:闪存 - NAND

存储容量:  2Gb (256M x 8)

存储器接口:SPI - 四 I/O

时钟频率:120MHz

写周期时间 - 字,页:700µs

电压 - 供电:1.7V ~ 2V

工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-VLGA 裸露焊盘

供应商器件封装:8-LGA(6x8)