2020年虽然受“疫情”影响较大，但半导体厂商扩大投资热度不减，尤其是数据中心、5G等领域前景可观，驱动着三星、铠侠、长江存储等存储原厂积极建厂和扩充产能，以及中国企业投资不断升温。FLASH存储(https://www.gayocen.cn)产业扩产竞赛，预计2021年DRAM和NAND设备支出将分别增长20%以上。

SEMI预估2020年全球半导体制造设备市场将较2019年（596亿美元）增长6%至632亿美元，其中中国大陆居首位且增长幅度达29%。预计2021年全球半导体制造设备市场将进一步增长，超过700亿美元，成长超1成，并创历史新高。

来源：SEMI

半导体制造设备市场创新高，存储原厂扩大投资建厂是重要驱动力

SEMI预计，2020年预计晶圆厂设备领域（包括晶圆加工、工厂设施和掩模/掩模版设备）将增长5%，到2021年将进一步增长13%。这主要是受存储市场前景可观以及中国企业持续扩大投资驱动，预计2020年DRAM和NAND支出都将超过2019年的水平，2021年预计将分别增长20%以上。

来源：公开信息，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

在2020上半年，三星和铠侠/西部数据在建厂和扩产方面最为积极，2020年3月三星西安二期1阶段投产，主要生产第五代9X层3D V-NAND芯片，预计8月实现满产，二期第二阶段项目投资80亿美元，工厂建设已启动，预计将在2021年下半年竣工，满足中国市场当地客户需求，以及满足全球不断增长的需求。

与此同时，三星也在扩大平泽工厂的生产能力，计划在2021年前平泽总投资达30兆韩元（约251亿美元）。三星最早是在2015年投资百亿美金在平泽兴建存储器工厂（P1），现已投产先进NAND Flash和DRAM；P2工厂则于2018年投资建设，2020年设备安装后将开始投产第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm级DRAM，也包括建设极紫外光刻（EUV）生产线，同时投资8兆韩元新建NAND Flash产线，计划2021下半年开始量产先进的V-NAND芯片，以满足不断增长的数据中心和智能手机存储需求。

作为NAND Flash全球排名第二的铠侠，与西部数据共同投资的岩手县北上市新工厂K1已在2020上半年开始小量生产，在四日市存储器生产基地，生产NAND Flash的工厂包括Fab2、Fab3、Fab4、Fab5、Fab6（一期、二期），2020年5月已动工建设Fab 7，预计12月份进入厂房工程，预计将在2022年夏天完工。

SK海力士于2018年底举行M16工厂奠基仪式，该工厂计划于2020年10月完工。随着三星DRAM导入EUV工艺，SK海力士内部也已经成立了研究小组专门针对EUV光刻相关技术展开研究，并计划将其应用于最新的DRAM产线，有望在新建成的韩国利川M16工厂引入应用，或者跟M14一样是NAND Flash和DRAM的混合生产工厂，最终投产还将根据市场情况和技术发展而定。

在3D NAND技术上取得突破后，2020年6月长江存储宣布国家存储器基地项目二期开工建设。国家存储器基地项目总投资达240亿美元，分两期建设3D NAND芯片工厂，一期于2016年底开工建设，并建成10万片/月产能，目前已实现32层、64层存储芯片产品稳定量产，并成功研制出了128层闪存芯片，二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。

2020年中国大陆半导体设备支出将增长近30%，占比27%居首位

近几年，随着国家政策支持，以及国家大基金、地方基金的资金扶持等驱动，中国企业在原材料、晶圆制造、封装/测试等产业链重要环节持续扩大项目投资和建厂，不断完善中国产业生态链，以及加快推进国产化进程，再加上三星扩大中国西安工厂建设，预计2020年中国大陆半导体设备支出将达到173亿美元，占比27%居首位，增长幅度更是高达29%。

其次是台湾地区，台积电是全球最大的晶圆代工厂，市占份额超过50%，再加上成熟的半导体封测产业推动，2019年半导体设备支出实现68%的增长之后，预计2020年将有所减少至145亿美元，到2021年将以10%的速度反弹。

韩国预计2020年半导体设备支出将超过2019年的水平，增长24%至123亿美元，在半导体设备投资中排名第三，主要是因为韩企三星和SK海力士在存储产业中占据领先的市场地位，尤其是三星投资和建厂一直保持较高的频率。到2021年，韩国半导体设备支出预计将增长30%至159亿美元。

之所以半导体设备市场保持持续增长的趋势，主要是看好未来发展前景，另据WSTS数据统计，2018年全球半导体营收创下纪录，达到4680亿美元，2019年由于存储产业的周期性调整有所下滑，2020年又受到了疫情对全球经济和供应链的影响导致成长有限，但2021年半导体市场将恢复成长，至4520亿美元，增长6%。