WINBOND/华邦电宣布新QspiNAND闪存存储芯片 为高通设计
2020-06-17

 

存储器大厂WINBOND/华邦16日宣布推出拥有新功能的QspiNAND Flash闪存存储芯片,专为高通 (Qualcomm) 9205 LTE调制解调器而设计。

为满足全球对大容量解决方案持续成长的需求,华邦电表示,新产品将在台湾台中市的12寸晶圆厂进行制造。华邦电目前正在扩展产能,以因应及确保支持汽车与IoT产业因全新业务带来的预期成长。

WINBOND华邦电推出业界首创的1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash,为新型行动网络NB-IoT模块的设计人员提供正确的储存容量。

分析师Alan Niebel表示,到了2020年,物联网的规模将成长到500亿个连网装置,未来几年Quad SPI-NAND的采用率可能会增加4至5倍,华邦电的1.8V QspiNAND Flash相当适合汽车及IoT产业使用。NB-IoT已经蓄势待发,在全新的连网世界中茁壮成长,2023年之前出货量可望达到全球6亿8500万个设备。

华邦电子美国分公司闪存事业群营销总监Syed S. Hussain表示,华邦电很荣幸能全心投入创新及产品差异化,设计出QspiNAND Flash KGD解决方案,并获得高通采用在Qualcomm 9205 LTE主控芯片中。公司将持续与高通密切合作开发存储器元件,打造适合IoT应用的次世代LTE调制解调器解决方案。

华邦电立足于传统QSPI-NOR Flash,并进军QSPI-NAND Flash领域,客户可根据自身需求,自由选择编码储存元件,以最低成本扩充规模。使用相同的6针脚信号及QSPI指令集提供SLC NAND Flash的大容量,并采用104MHz读取速度的全新的Continuous Read功能,效能毫不减损。

高通欧洲产品管理副总裁Vieri Vanghi表示,高通已对华邦电的QspiNAND Flash进行各种测试及验证,目前以堆栈KGD解决方案形式运用于Qualcomm 9205 LTE调制解调器,让OEM客户能打造出外型极为精巧的系统。