日前发布的整流器快速恢复时间为 75 ns，典型 Q_rr 低至 150 nC。器件典型正向压降 1.10 V，比市场上接近的竞品低 10%，寄生电容降低 50 %，且不影响器件可靠性。此外，与上一代解决方案相比，整流器反向恢复能量（E_rec）提高10%，软恢复有助于降低 EMI。

器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动功能的高频整流器，同时可为最新快速开关 IGBT 和 Si / SiC MOSFET 提供去饱和保护。VS-E7MH0112-M3 和汽车级 VS-E7MH0112HM3 典型应用包括工业和通信设备、电动汽车（EV）车载充电器和电机、以及 Ćuk 转换器和工业 LED PFC CrM SEPIC 电路。

VS-E7MH0112-M3 和 VS-E7MH0112HM3 采用平面结构，通过铂掺杂寿命控制，在不影响性能的情况下确保系统可靠性和稳定性，同时经过优化的存储电荷和低恢复电流最大限度减小开关损耗并降低功耗。器件符合 RoHS 标准，无卤素，潮湿敏感度达到 J-STD-020 标准1级，可在 +175 °C 高温下工作。

转自vishay官博