WINBOND SDRAM 移动 LPSDR W988D2FBJX7E

制造商:Winbond Electronics

制造商零件编号:W988D2FBJX7E

简要描述:IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)

原厂标准交货期:10 周


详细信息

WINBOND SDRAM 移动 LPSDR W988D2FBJX7E(www.gayocen.cn)产品信息:

制造商:Winbond Electronics

制造商零件编号:W988D2FBJX7E

简要描述:IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 (MSL):3(168 小时)

原厂标准交货期:10 周


W988D2FBJX7E一般信息:

数据列表:W988D6FB, W988D2FB;

标准包装:240

包装:托盘 

零件状态:有源

类别:集成电路(IC)

产品族:存储器


W988D2FBJX7E规格:

存储器类型:易失

存储器格式:DRAM

技术:SDRAM - 移动 LPSDR

存储容量:256Mb (8M x 32)

存储器接口:并联

时钟频率:133MHz

写周期时间 - 字,页:15ns

访问时间:5.4ns

电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V

工作温度:-25°C ~ 85°C(TC)

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:90-TFBGA

供应商器件封装:90-VFBGA(8x13)

详细描述:SDRAM-移动-LPSDR-存储器-W988D2FBJX7E-IC-256Mb-(8M-x-32)-并联-133MHz-5.4ns-90-VFBGA(8x13)